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中国存储铁三角,当真能破国际寡头布的局?

作者: 发布时间:2017-12-04 浏览量:1032

存储产业在历经价格血战成了三强鼎立的寡占市场,中国在市场、国安考量力求在存储有所突围,原先的紫光、武汉新芯从各自进击到合体发展,另外两组势力在联电、中芯老将辅佐下也积极展开布局,中国存储铁三角逐步成形。


紫光集团先前欲并购美光、与SK 海力士谈授权***后都无疾而终,***终与获得中国存储统筹资源的武汉新芯合并,进一步成立长江存储公司,由紫光董事长赵伟国兼任长江存储董事长,大基金总经理丁文武出任副董事长,并由原武汉新芯执行长杨士宁出任总经理负责NAND Flash 擘划,转战紫光的前华亚科董事长则任长江存储营运长重起炉灶筹备DRAM建厂。

武汉新芯存储基地已在2016 年3 月底动土,根据科技新报先前取得的消息,新的存储基地将分三期,总规划面积约100 万平方米,一期于8 月开工、预计2018年建设完成,月产能约20 万片,而官方目标到2020 年基地总产能达30 万片/月、2030 年来到100 万片/月。******步已与NOR 存储厂商飞索半导体(Spansion)签订技术授权,从3D NAND Flash 下手,并预计2017 有能力推出32 层堆叠、2018年推出48 层堆叠3D NAND Flash。在DRAM 进展上与美光洽谈技术授权还未有眉目,也有消息指出,高启全正招兵买马透过人脉挖角台湾DRAM 相关人才,或为建厂做准备。

在DRAM 进展有较大突破的为福建后起势力,福建省政府在5 月宣布,所投资的晋华集成与联电签订技术合作协定,由联电接受晋华委托开发DRAM 相关制程技术,生产利基型DRAM,团队由瑞晶、美光台湾前总经理、现任联电资深副总经理陈正坤领军,在7 月12 吋厂建厂奠基的同时,已在台湾南科建立小型试产线,据了解初期将导入32 奈米,但***终目标其实放在25 奈米以下制程,以求与其他DRAM 大厂不致有太大落差,初步产能规划每月6 万片,估计2017 年底完成技术开发,2018 年9月试产,并在2019 年以前将产线移转至福建新厂。

而合肥欲起的DRAM 势力在前尔必达社长坂本幸雄淡出合肥后,由中国本土NOR Flash 厂商兆易创新(GigaDevice)与中芯国际前执行长王宁国所主导,先前市场传出兆易创新将与武岳峰等中国基金并购的美国DRAM 厂ISSI 合并,成为长江存储后,另一家DRAM/NAND Flash 发展兼具的存储厂商。然目前还未传出团队有相关建厂消息。

除了三厂竞逐成为焦点,团队主导人也颇有渊源,主导合肥团队的王宁国与长江存储总经理杨士宁同样出身中芯国际,先前两派人马在中芯斗争多年甚至跃上新闻版面,如今再度碰头;而现任长江存储营运长的高启全与联电资深副总经理陈正坤,相继待过华亚科、美光体系,中国存储争战熟人相争就看谁能带领团队率先出线。


存储产业全球现状

Memory 作为 IC 领域***重要的一个领域,2014 年销售规模达到 792 亿美元,占到整个半导体市场规模的 23.6%。而目前,这一领域由于其极高的技术壁垒和资本壁垒,在全球形成了极强的寡头垄断,三四家厂商垄断了全球 90%以上的市场,而国内在这一领域还完全是空白。近几年,Memory 产品受益于移动智能终端快速渗透,带来对产品需求的高速增长,过去三年复合增长率 18%,远高于半导体行业整体 7%的增长速度,成为整个半导体产业增长的主要推动力。未来几年全球 Memory 市场仍有望保持快速增长。1)个人电脑与手机等移动终端的需求旺盛,拉动了 DRAM 产值的大幅增加。2)智能手机与固态硬盘(SSD)将成为 NAND Flash******需求。3)3D NAND Flash 成为存储芯片的重要增长点。


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